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中芯国际:国产芯片巨头20年沉浮

文章出处:未知责任编辑:托普科人气:58-发表时间:2020-06-30 16:32:19【
中芯国际从2019年四季度开始量产14nm,正处于产能爬坡期;在更先进制程的规划上,N+1研发进程稳定,已进入客户导入及产品认证阶段,中芯的N+1工艺相比较台积电的7nm性能稍弱;N+2工艺能接近主流的7nm水平,中芯计划于今年第四季度进行FinFET 7nm的初始生产,但量产计划还未公布。
梁孟松表示,“7nm作为其14nm工艺的继任者,其性能提高了20%,功耗降低了57%。它将逻辑面积减少63%,SoC面积减少55%,密度是14nm的两倍以上。”虽然中芯国际的14nm工艺相比台积电、格罗方德、联华电子等主要竞争对手晚了2-4年,但是在7nm工艺的进度较快,正在实现追赶。
与此同时,联华电子、格罗方德宣布相继退出12nm以下先进工艺市场,据业内分析,接下来中芯国际对这两家的超越是完全可以实现的,如果不把三星看做专门的代工厂,那么未来在7nm以下先进工艺市场的角逐上,只剩下台积电和中芯国际两家。
相比身处美国、台湾地区的竞争对手,中芯国际正在把这场危机化为机遇。
首先,中国是芯片市场需求大国,半导体产业经过多年发展逐步完善,也不乏优秀的IC设计公司。随着中美贸易摩擦的加剧,越来越多的代工订单转到了中国大陆,这其中华为也更加倾向于选择并扶植大陆的合作伙伴。

根据《电子时报》1月份的报道,中芯国际击败台积电,夺得华为海思半导体的14纳米FinFET工艺芯片制造订单。

荣耀Play4T中芯国际20周年定制版
今年5月,中芯国际定制版荣耀Play4T在媒体曝光,其特别之处在于背面的logo——SMIC 20,以及一行文字标注:Powered by SMIC FinFET,显示着这款手机的海思麒麟710A处理器,采用的正是中芯国际(SMIC)14nm制程代工。
其中,12英寸芯片SN1项目,正是用于满足建设1条月产能3.5万片的12英寸生产线项目的部分资金需求,将生产技术水平提升至14nm及以下,来进一步满足客户的需求。
对于7nm或更先进的工艺,梁孟松曾表示,“中芯国际无需EUV就能达成7nm,当然后续的5nm、3nm是必须要有EUV的。”虽然无法引进更为先进的EUV光刻机,但这也为中芯国际在短时间内,利用现有设备实现从14nm推进到7nm工艺制程并逐步实现量产,赢得了一个难得的喘息和发展的时间差。
在技术层面上,依然存在不确定性,一旦台积电遇到工艺制程陷阱或者技术分水岭,中芯国际作为跟随者,市场格局很有可能发生变化。
2014年,台积电制程工艺升级至20nm,并为高通代工骁龙810解决方案。不过该方案内核架构过分关注提升性能,导致整机严重发热,深陷工艺制程陷阱,最终造就了高通“火龙处理器”的黑历史。台积电被迫加快工艺升级进度,经过2015与2016年两次技术迭代才摆脱阴影。
目前,很难预判哪个工艺节点将成为新的陷阱。因此,对台积电而言,犯错比减速更加不可接受,这也为中芯国际的追赶争取更多时间。
路漫漫其修远兮,吾将上下而求索。“落后就要挨打”的道理,从古至今从来不会改变。中国的芯片之路仍需不懈努力,还有很长的路要走。
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