中芯国际从2019年四季度开始量产14nm，正处于产能爬坡期；在更先进制程的规划上，N+1研发进程稳定，已进入客户导入及产品认证阶段，中芯的N+1工艺相比较台积电的7nm性能稍弱；N+2工艺能接近主流的7nm水平，中芯计划于今年第四季度进行FinFET 7nm的初始生产，但量产计划还未公布。
梁孟松表示，“7nm作为其14nm工艺的继任者，其性能提高了20％，功耗降低了57％。它将逻辑面积减少63％，SoC面积减少55％，密度是14nm的两倍以上。”虽然中芯国际的14nm工艺相比台积电、格罗方德、联华电子等主要竞争对手晚了2-4年，但是在7nm工艺的进度较快，正在实现追赶。
与此同时，联华电子、格罗方德宣布相继退出12nm以下先进工艺市场，据业内分析，接下来中芯国际对这两家的超越是完全可以实现的，如果不把三星看做专门的代工厂，那么未来在7nm以下先进工艺市场的角逐上，只剩下台积电和中芯国际两家。
相比身处美国、台湾地区的竞争对手，中芯国际正在把这场危机化为机遇。
首先，中国是芯片市场需求大国，半导体产业经过多年发展逐步完善，也不乏优秀的IC设计公司。随着中美贸易摩擦的加剧，越来越多的代工订单转到了中国大陆，这其中华为也更加倾向于选择并扶植大陆的合作伙伴。
根据《电子时报》1月份的报道，中芯国际击败台积电，夺得华为海思半导体的14纳米FinFET工艺芯片制造订单。
荣耀Play4T中芯国际20周年定制版
今年5月，中芯国际定制版荣耀Play4T在媒体曝光，其特别之处在于背面的logo——SMIC 20，以及一行文字标注：Powered by SMIC FinFET，显示着这款手机的海思麒麟710A处理器，采用的正是中芯国际（SMIC）14nm制程代工。
其中，12英寸芯片SN1项目，正是用于满足建设1条月产能3.5万片的12英寸生产线项目的部分资金需求，将生产技术水平提升至14nm及以下，来进一步满足客户的需求。
对于7nm或更先进的工艺，梁孟松曾表示，“中芯国际无需EUV就能达成7nm，当然后续的5nm、3nm是必须要有EUV的。”虽然无法引进更为先进的EUV光刻机，但这也为中芯国际在短时间内，利用现有设备实现从14nm推进到7nm工艺制程并逐步实现量产，赢得了一个难得的喘息和发展的时间差。
在技术层面上，依然存在不确定性，一旦台积电遇到工艺制程陷阱或者技术分水岭，中芯国际作为跟随者，市场格局很有可能发生变化。
2014年，台积电制程工艺升级至20nm，并为高通代工骁龙810解决方案。不过该方案内核架构过分关注提升性能，导致整机严重发热，深陷工艺制程陷阱，最终造就了高通“火龙处理器”的黑历史。台积电被迫加快工艺升级进度，经过2015与2016年两次技术迭代才摆脱阴影。
目前，很难预判哪个工艺节点将成为新的陷阱。因此，对台积电而言，犯错比减速更加不可接受，这也为中芯国际的追赶争取更多时间。
路漫漫其修远兮，吾将上下而求索。“落后就要挨打”的道理，从古至今从来不会改变。中国的芯片之路仍需不懈努力，还有很长的路要走。
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